【导读】跟着人工智能算力需求出现发作式增加，传统数据中央供电体系正面对能效与功率密度的两重挑战。近日，瑞萨电子公布于功率半导体范畴取患上要害进展，其推出的新一代解决方案，可高效撑持基在800V直流架构的AI数据中央供电体系。该技能旨于优化从电源转换到分配的全程效率，为下一代高密度、高能效AI计较基础举措措施奠基坚实基础，助力全世界智能算力实现更快速、更靠得住的部署与扩大。

2025 年 10 月 14 日，跟着人工智能算力需求出现发作式增加，传统数据中央供电体系正面对能效与功率密度的两重挑战。近日，瑞萨电子公布于功率半导体范畴取患上要害进展，其推出的新一代解决方案，可高效撑持基在800V直流架构的AI数据中央供电体系。该技能旨于优化从电源转换到分配的全程效率，为下一代高密度、高能效AI计较基础举措措施奠基坚实基础，助力全世界智能算力实现更快速、更靠得住的部署与扩大。

跟着GPU驱动的AI事情负载日趋密集，数据中央功耗爬升至数百兆瓦级别，现代数据中央亟需兼具能效优化与可扩大性的电源架构。GaN FET开关为代表的宽禁带半导体，依附其更快的开关速率、更低的能量损耗，和卓着的热治理机能，正迅速成为要害解决方案。此外，GaN功率器件将鞭策机架内800V直流母线的成长，于经由过程DC/DC降压转换器撑持48V组件复用的同时，显著降低配电损耗，并削减对于年夜尺寸母线排的需求。

瑞萨基在GaN的电源解决方案尤其合用在此类运用场景，撑持高效且密集的DC/DC电源转换，事情电压规模笼罩48V至400V，并可经由过程选配叠加至800V。这些转换器基在LLC直流变压器（LLC DCX）拓扑布局，可实现高达98%的转换效率。于AC/DC前端，瑞萨采用双向GaN开关，以简化整流器设计并晋升功率密度。同时，瑞萨的REXFET MOSFET、驱动器和节制器则为新型DC/DC转换器的物料清单（BOM）提供了有力增补。更多详情，请拜候：renesas.com/power。

Zaher Baidas, Senior Vice President and General Manager of Power at Renesas暗示：“AI正之前所未有的速率转变各行各业，电源基础举措措施必需同步快速演进，以满意激增的电力需求。依托咱们全系列GaN FET、MOSFET、节制器和驱动器产物组合，瑞萨致力在以面向范围化运用的高密度能源解决方案，为AI的将来赋能。这些立异不仅带来卓着机能与能效，也具有支撑将来增加所需的可扩大性。”

瑞萨电子已经发布一份白皮书，深切切磋其于AI基础举措措施中撑持800V配电的装备拓扑布局。

瑞萨电源治理技能上风

作为全世界卓着的电源治理产物供给商，瑞萨电子最近几年来的平均年出货量超15亿颗，此中年夜量产物办事在计较行业，其余则广泛运用在工业、物联网、数据中央以和通讯基础举措措施等范畴。瑞萨拥有业界广泛的电源治理器件产物组合，于产物质量、效率和电池寿命方面体现卓着。同时，作为一家值患上相信的供给商，瑞萨拥有数十年的电源治理IC设计经验，并以双源出产模式、业界进步前辈的工艺技能，以和由250多家生态体系互助伙伴构成的重大系统为后援。关在瑞萨电源治理技能的更多信息，请拜候：renesas.com/power。

关在瑞萨电子

瑞萨电子（TSE: 6723），科技让糊口更轻松，致力在打造更安全、更智能、可连续成长的将来。作为全世界微节制器供给商，瑞萨电子交融了于嵌入式处置惩罚、模仿、电源和毗连方面的专业常识，提供完备的半导体解决方案。乐成产物组合加快汽车、工业、基础举措措施和物联网运用上市，赋能数十亿联网智能装备改善人们的事情及糊口方式。

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